于鹏副教授、杨国伟教授团队在国际上率先实现最高负光电导（NPC

　　大信号分析电子辐照凯时最优质的运营商表面微机械工艺光电导负光电导（Negative Photoconductive, NPC）响应在光电探测、光电切换和光电存储等方面具有广阔的应用前景，是发展多功能片上集成光电子器件的重要基础。当前，大多数光电子探测器件都是以正光电导（Positive Photoconductive, PPC）响应为机理运行的，这极大的限制了多功能集成光电子器件的发展。因此，开发高负光电响应的光电子探测器件是该领域的研究热点和难点。基于此，于鹏副教授、杨国伟教授团队提出了通过缩短载流子传输通道长度提高器件光电性能的策略，组装出了短通道的多层石墨烯/CuBiP2Se6/多层石墨烯（MLG/CBPS/MLG）基全垂直范德华异质结光电子晶体管，该器件的光电响应度对比水平器件的光响应度提高了三个数量级（Advanced Materials, 2023, 35, 2209995）。

　　有鉴于此，该团队将此策略应用到新光电子器件的制备上，组装出了全范德瓦尔斯石墨烯/AgBiP2Se6/石墨烯垂直异质结光电子探测器，并通过应用高偏置电压引入缺陷态（trap state）的方式，国际上率先实现了高负光电导响应的光电子探测器件，器件负光电响应度达到了创纪录的4.9 × 105 A/W。同时，该器件还表现出了优异的综合光电性能，包括：1.3 × 108 %的高外量子效率（EQE）和 3.60 × 1012 Jones的高光电探测率。该工作中提出的缩短载流子传输通道长度与高偏压诱导缺陷态策略，将为设计实用性高负光电导探测器件指明道路，有望应用于多功能光电集成芯片设计中。